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申请/专利权人：上海新硅聚合半导体有限公司
摘要：本申请涉及半导体制造工艺技术领域，特别涉及一种晶圆键合方法及其功能衬底制备方法。本申请中的晶圆键合方法包括如下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，对第一晶圆和第二晶圆进行分隔处理，并使第一晶圆的第一键合面和第二晶圆的第二键合面相对设置且对准，在真空环境下，使第一晶圆与第二晶圆相互靠近并进行键合处理，在第一晶圆和第二晶圆的键合过程中，向第一晶圆和第二晶圆中的至少之一施压，以使第一键合面和第二键合面在压力作用下对准键合。通过采用上述方法，能够避免现有技术中的晶圆直接键合技术所产生的晶圆位移和键合孔洞的发生，提高直接键合工艺的良率。
主权项：1.一种晶圆键合方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆具有第一键合面，所述第二晶圆具有第二键合面；对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行分隔处理，并使所述第一键合面和所述第二键合面相对设置且对准；在真空环境下，使所述第一晶圆与所述第二晶圆相互靠近并进行键合处理，在所述第一晶圆和所述第二晶圆的键合过程中，向所述第一晶圆和所述第二晶圆中的至少之一施压，以使所述第一键合面和所述第二键合面在压力作用下对准键合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海新硅聚合半导体有限公司 一种晶圆键合方法及其功能衬底的制备方法
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