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用于极紫外光刻的空白掩模和光掩模 

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申请/专利权人:思而施技术株式会社

摘要:本发明涉及一种用于极紫外光刻的空白掩模以及光掩模,包含依序形成于透明基板上的反射膜、覆盖膜以及吸收膜,其中反射膜具有0.5纳米Ra或小于0.5纳米Ra的表面粗糙度。有可能防止极紫外光掩模图案的基脚发生,改善极紫外空白掩模的平坦度,且防止覆盖膜的氧化和缺陷。

主权项:1.一种用于极紫外光刻的空白掩模,包括:反射膜、覆盖膜以及吸收膜,依序形成于透明基板上,其中所述反射膜具有0.5纳米Ra或小于0.5纳米Ra的表面粗糙度;其中所述吸收膜由具有两层结构的钽化合物制成,在所述两层结构中,上部层含有氧且下部层不含有氧;其中所述下部层以组成比在厚度方向上变化的连续膜的形式形成;其中所述下部层以其中氮N含量在所述厚度方向上从表面逐渐降低的连续膜形成。

全文数据:

权利要求:

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