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申请/专利权人：常州银河电器有限公司
摘要：本申请涉及半导体分离器件生产的技术领域，具体公开了一种高浪涌高电压二极管产品制造工艺。一种高浪涌高电压二极管产品制造工艺，包括以下步骤：S1、晶圆片选择：选择电阻为20‑27Ω*cm，厚度为265‑280μm的单晶片；S2、晶圆片处理：对单晶片进行磷预扩散、磷再扩散、背面减薄、硼扩散、双面减薄、表面金属化、划片处理，得到待处理晶圆片；S3、封装：将待处理晶圆片进行焊接、酸洗、上胶、固化、模压，得到二极管半成品。本申请制备的二极管可用于电器元件中，其具有高浪涌能力、结构完整、功耗较低等优点。
主权项：1.一种高浪涌高电压二极管产品制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、晶圆片选择：选择电阻为20-27Ω*cm，厚度为265-280μm的单晶片；S2、晶圆片处理：对单晶片进行磷预扩散、磷再扩散、背面减薄、硼扩散、双面减薄、表面金属化、划片处理，得到待处理晶圆片；S3、封装：将待处理晶圆片进行焊接、酸洗、上胶、固化、模压，得到二极管半成品。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州银河电器有限公司 一种高浪涌高电压二极管产品制造工艺
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