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申请/专利权人：华东光电集成器件研究所
摘要：本发明涉及一种抗浪涌二极管器件结构，属于半导体技术领域。它包括由下到上依次设置的衬底、外延层和介质层，所述外延层中设有两个纵向PN结二极管，每个纵向PN结二极管均包括在外延层中由上到下依次相连二极管一区和二极管二区，每个二极管一区上端分别与外露出介质层的第一金属电极连通、每个二极管二区下端分别与位于衬底中的埋层相连接；在每个二极管一、二区周侧还设有连接区，连接区将内外侧体硅隔离且连接区与对应的二极管一、二区不接触，每个连接区上端共同与外露出介质层的第二金属电极相连接、下端分别与埋层相连接，在每个对应的连接区和埋层的外周侧设有隔离区。本发明具有击穿电压稳定、抗浪涌能力强、击穿后导通电阻低的特点。
主权项：1.一种抗浪涌二极管器件结构，它包括由下到上依次设置的衬底（1）、外延层（4）和介质层（8），其特征在于：所述外延层（4）中设有两个纵向PN结二极管（100），每个纵向PN结二极管（100）均包括在外延层（4）中由上到下依次相连二极管一区（6）和二极管二区（7），每个二极管一区（6）上端分别与外露出介质层（8）的第一金属电极（9）连通、每个二极管二区（7）下端分别与位于衬底（1）中的埋层（2）相连接；在每个二极管一、二区周侧还设有连接区（5），连接区（5）将内外侧体硅隔离且连接区（5）与对应的二极管一、二区不接触，每个连接区（5）上端共同与外露出介质层（8）的第二金属电极（10）相连接、下端分别与埋层（2）相连接，使两纵向PN结二极管（100）通过埋层（2）、连接区（5）和第一、第二金属电极形成串联结构；在每个对应的连接区（5）和埋层（2）的外周侧还设有隔离区（3）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华东光电集成器件研究所 一种抗浪涌二极管器件结构
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