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申请/专利权人：天津大学;浙江华康药业股份有限公司;天津大学浙江研究院(绍兴)

摘要：本发明属于晶体颗粒聚结结块的技术领域，涉及一种预测晶体颗粒临界结块周期的方法包括如下步骤：首先建立与待预测晶体颗粒同种类的晶体颗粒的CHS晶桥生长模型数据库，然后分别根据待预测晶体颗粒的等效颗粒半径、储存的环境温度和环境高低湿度循环条件，选取与其对应的CHS晶桥生长模型数据库中已有的数据通过经验计算公式进行临界结块周期的计算，计算得到的结果即为该晶体颗粒预测的临界结块周期。本发明具有省时便捷、普适性好、预测精度高等特点，最长时间一周之内实现对于多粒度晶体颗粒产品处于不同湿度储存条件下临界结块周期的快速预测，大大缩短时间成本并为工业晶体颗粒产品的储存提供指导依据。

主权项：1.一种预测晶体颗粒临界结块周期的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：首先建立与待预测晶体颗粒同种类的晶体颗粒的CHS晶桥生长模型数据库，在所述CHS晶桥生长模型数据库中包括有：该种晶体颗粒的不同粒径规格所对应的等效颗粒半径的数据，以及不同的等效颗粒半径的晶体颗粒分别在各种环境温度、各种环境湿度条件下的水分吸湿量的数据，以及不同的等效颗粒半径的晶体颗粒分别在各种环境温度、各种环境高低湿度循环条件下的临界结块周期的数据，然后分别根据待预测晶体颗粒的等效颗粒半径、储存的环境温度和环境高低湿度循环条件，选取与其相应的CHS晶桥生长模型数据库中已有的数据通过以下计算公式进行临界结块周期的计算，计算得到的结果即为该晶体颗粒预测的临界结块周期；所述计算公式包括：1如果待预测晶体颗粒的环境温度和环境高低湿度循环条件与CHS晶桥生长模型数据库的数据相同，仅是等效颗粒半径不同，则依据以下公式a计算待预测晶体颗粒在该环境条件下的临界结块周期N1'： 在上述公式中，R1e为CHS晶桥生长模型数据库中已有的晶体颗粒的等效颗粒半径，R1e'为待预测晶体颗粒的等效颗粒半径，N1为CHS晶桥生长模型数据库中已有的等效颗粒半径R1e的晶体颗粒在该环境条件下所对应的临界结块周期，N1'为待预测晶体颗粒的临界结块周期，N1和N1'分别为不小于1的整数；2如果待预测晶体颗粒的环境温度和等效颗粒半径与CHS晶桥生长模型数据库的数据相同，仅是环境高低湿度循环条件不同，则依据以下公式b计算待预测晶体颗粒的临界结块周期N2”： 其中，Vl＝VRH2–VRH1，公式c；Vl'＝VRH3–VRH1，公式d；在上述公式中，VRH2为CHS晶桥生长模型数据库中已有的晶体颗粒在第一环境高低湿度循环中高湿度条件下的水分吸湿量，VRH3为CHS晶桥生长模型数据库中已有的晶体颗粒在第二环境高低湿度循环中高湿度条件下的水分吸湿量，第一环境高低湿度循环中低湿度条件与第二环境高低湿度循环中低湿度条件相同，VRH1为CHS晶桥生长模型数据库中已有的晶体颗粒在环境高低湿度循环中低湿度条件下的水分吸湿量；Vl为晶体颗粒在第一环境高低湿度循环条件下的水分吸湿量差，Vl'为待预测晶体颗粒在第二环境高低湿度循环条件下的水分吸湿量差，N2为CHS晶桥生长模型数据库中已有的晶体颗粒在第一环境高低湿度循环条件下的临界结块周期，N2”为待预测晶体颗粒在第二环境高低湿度循环条件下的临界结块周期，N2和N2”分别为不小于1的整数；其中，所述环境高低湿度循环中的高湿度条件应低于该晶体颗粒的潮解点，并使得在晶体颗粒的粒径小于100微米时的临界结块周期大于1次，低湿度条件应小于高湿度条件，且两者之间的湿度差应大于20％；在所述CHS晶桥生长模型数据库中的晶体颗粒的等效颗粒半径以及待预测晶体颗粒的等效颗粒半径分别通过如下测量方法得到：首先对待测量的晶体颗粒产品进行粒度筛分，筛分后称量每个晶体颗粒的粒度区间的质量，依次得到数据m1、m2、…、mn，同时统计各粒度区间的晶体颗粒的粒子个数，依次得到数据P1、P2、…、Pn，然后依据以下计算公式计算得出该晶体颗粒的等效颗粒半径Re；所述计算公式包括：P1R13+P2R23+…+PnRn3＝P1+P2+…+PnRe3，公式e；P1R13:P2R23：...：PnRn3＝m1:m2:...：mn，公式f。

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