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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明提供一种基于范德瓦尔斯外延制备柔性铁磁性金属薄膜的方法，包括：解理氟金云母，得到氟金云母衬底，其中，氟金云母衬底包括F‑Mica001，氟金云母衬底的新鲜解理面用于外延生长；将氟金云母衬底置于磁控溅射仪的沉积室内；采用射频磁控溅射方式将金属元素沉积到新鲜解理面上，其中，射频磁控溅射时沉积室内温度为600～700℃。本发明操作方法简单，易于实现大面积生长制备；将柔性自支撑铁磁性金属薄膜外延生长在氟金云母衬底上，衬底与薄膜之间只存在弱的范德瓦尔斯相互作用，晶格失配对单晶薄膜质量的影响大大降低，能得到高质量的单晶铁磁性金属薄膜。
主权项：1.一种基于范德瓦尔斯外延制备柔性铁磁性金属薄膜的方法，其特征在于，包括：解理氟金云母，得到氟金云母衬底，其中，所述氟金云母衬底包括F-Mica（001），所述氟金云母衬底的新鲜解理面用于外延生长；将所述氟金云母衬底置于磁控溅射仪的沉积室内；采用射频磁控溅射方式将金属元素沉积到所述新鲜解理面上；其中，射频磁控溅射时所述沉积室内温度为600~700℃；以铁磁性金属为靶材，在所述氟金云母衬底上沉积金属元素，得到铁磁性金属薄膜；通过控制所述射频磁控溅射的沉积时间，得到预设厚度的铁磁性金属薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 基于范德瓦尔斯外延制备柔性铁磁性金属薄膜的方法
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