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龙图腾网恭喜太极半导体(苏州)有限公司申请的专利一种高容量TSOP多闪存芯片堆叠封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222322087U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420910727.2，技术领域涉及：H10B80/00；该实用新型一种高容量TSOP多闪存芯片堆叠封装结构是由陆海琴设计研发完成，并于2024-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高容量TSOP多闪存芯片堆叠封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种高容量TSOP多闪存芯片堆叠封装结构，涉及半导体封装技术领域，包含TSOP框架和两个芯片单元；TSOP框架的下侧设置有转接基板，转接基板通过Tape胶连接固定在TSOP框架上，转接基板的引脚与TSOP框架打线互连；两个芯片单元分别连接固定在转接基板底面的两侧，且沿转接基板的长度方向对称分布，两个芯片单元均与转接基板电性连接，本方案通过在TSOP框架上加一层转接基板，将两摞由8颗芯片构成的芯片单元一次性堆叠，既能实现高容量的存储，又能使封装制程变得简单，同时，通过环氧树脂将TSOP框架、转接基板和两个芯片单元包裹起来，以提供物理和电气保护，防止外界干扰。

本实用新型一种高容量TSOP多闪存芯片堆叠封装结构在权利要求书中公布了：1.一种高容量TSOP多闪存芯片堆叠封装结构，其特征在于：包含TSOP框架1和两个芯片单元；所述TSOP框架1的下侧设置有转接基板3，所述转接基板3通过Tape胶2连接固定在TSOP框架1上，转接基板3的引脚7与TSOP框架1打线互连；两个所述芯片单元分别连接固定在转接基板3底面的两侧，且沿转接基板3的长度方向对称分布，两个芯片单元均与转接基板3电性连接。

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