买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111725316B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911391056.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置及其制造方法是由木下朋子;篠原大辅;小松香奈子;石井良明;S·S·普拉巴卡兰设计研发完成，并于2019-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：实施方式涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体部分；第1绝缘膜，设置在上述半导体部分上；第2绝缘膜，设置在上述半导体部分上，与上述第1绝缘膜接触，比上述第1绝缘膜厚，形成有贯通孔；第1接触件，下端连接于上述半导体部分；第2接触件，下部配置在上述贯通孔内，下端连接于上述半导体部分；以及栅极电极，位于上述第1接触件与上述第2接触件之间，设置在上述第1绝缘膜上以及设置在上述第2绝缘膜中的除了上述贯通孔以外的部分上。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备：半导体部分；第1绝缘膜，设置在上述半导体部分上；第2绝缘膜，设置在上述半导体部分上，与上述第1绝缘膜接触，比上述第1绝缘膜厚，形成有贯通孔；第1接触件，下端连接于上述半导体部分；第2接触件，下侧的一部分配置在上述贯通孔内，下端连接于上述半导体部分；栅极电极，位于上述第1接触件与上述第2接触件之间，设置在上述第1绝缘膜上，以及设置在上述第2绝缘膜中的除了上述贯通孔以外的部分上；以及第3绝缘膜，至少下部设置在上述半导体部分内，上述第3绝缘膜的下表面位于比上述第2绝缘膜的下表面靠下方的位置，上述第2绝缘膜的上表面与上述第2绝缘膜的上述第1绝缘膜侧的第1侧面所成的角度是直角或锐角，上述第2绝缘膜的上述上表面与上述第2绝缘膜中的与上述第1绝缘膜相反一侧的第2侧面所成的角度是钝角，上述第2侧面将上述第2绝缘膜的上表面与下表面相连，在从上述第1绝缘膜朝向上述第2绝缘膜的方向上，上述第2绝缘膜的上表面比上述第2绝缘膜的下表面短，上述第2绝缘膜中的配置在上述半导体部分上的部分的厚度比上述第2绝缘膜中的配置在上述半导体部分内的部分的厚度厚，上述第2侧面具有：与上述上表面相连的第1面；以及与上述下表面相连的第2面，上述半导体装置还具有设置于上述第2面的侧壁绝缘膜。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。