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龙图腾网恭喜吉林大学申请的专利一种基于无定形态In掺杂Ga₂O₃纳米材料的紫外光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274906B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210903894.X，技术领域涉及：H10F30/10；该发明授权一种基于无定形态In掺杂Ga₂O₃纳米材料的紫外光电探测器及其制备方法是由阮圣平;周瑞恒;刘彩霞;周敬然;李昕;马艳设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于无定形态In掺杂Ga₂O₃纳米材料的紫外光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种基于无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料的紫外光电探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。由石英衬底、无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料光敏感层和Au金属叉指电极组成。首先将石英衬底清洗干净并干燥，然后在去离子水中加入九水合硝酸镓、四水合硝酸铟、聚氧乙烯月桂醚和柠檬酸，得到In掺杂的Ga2O3前驱体溶液；再在石英衬底上旋涂前驱体溶液，经烘干、衬底冷却、烧结后得到无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料光敏感层；最后经过光刻、磁控溅射，在光敏感层上得到Au金属叉指电极；从而制备出工艺简单易行、工序少、成本低廉、对紫外光有较高响应的基于无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料的紫外光电探测器。

本发明授权一种基于无定形态In掺杂Ga₂O₃纳米材料的紫外光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料的紫外光电探测器的制备方法，其步骤如下：1清洗衬底将石英衬底依次置于丙酮、乙醇和去离子水中分别超声清洗10～20分钟，然后烘干；2制备无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料光敏感层首先制备In掺杂的Ga2O3前驱体溶液：在20～40mL去离子水中加入4.41～6.30g九水合硝酸镓、0.56～1.68g四水合硝酸铟，20～40μL聚氧乙烯月桂醚，0.020～0.044g柠檬酸，于70～80℃水浴搅拌20～40分钟，最后将溶液置于暗处静置18～30小时，得到In掺杂的Ga2O3前驱体溶液；在步骤1烘干的石英衬底表面制备In掺杂的Ga2O3纳米材料光敏感层：在烘干的石英衬底表面旋涂In掺杂的Ga2O3前驱体溶液并形成薄膜，旋涂转速为2500～3500转分钟，旋涂时间为25～35秒；于90～110℃条件下烘干8～12分钟后将衬底冷却至室温；重复上述旋涂、烘干、衬底冷却步骤7～13次，最后将In掺杂的Ga2O3纳米薄膜连同石英衬底在650～750℃下烧结20～40分钟，从而在石英衬底表面得到In掺杂的Ga2O3纳米材料光敏感层；3制备Au金属叉指电极在In掺杂的Ga2O3纳米材料光敏感层上旋涂光刻胶、光刻叉指图形、显影及溅射后制备Au金属叉指电极，从而得到所述的基于无定形态In掺杂Ga2O3纳米材料的紫外光电探测器。

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