恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司刘睿获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446781B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011197598.X，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权半导体结构的形成方法是由刘睿设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有待刻蚀材料层，待刻蚀材料层上形成若干相互分立的牺牲层，相邻牺牲层之间具有第一开口；在第一开口底部和侧壁表面、牺牲层顶部表面形成侧墙材料层；在侧墙材料层表面形成保护层；在保护层上形成第一图形化层，第一图形化层内具有第一图形化开口，第一图形化开口暴露出其中一个或多个第一开口；在暴露出的第一开口内形成阻挡层,阻挡层的顶部表面低于牺牲层的顶部表面；去除保护层；去除第一开口底部表面和牺牲层顶部表面的侧墙材料层；去除牺牲层，在剩余侧墙材料层之间形成第二开口。本发明提高了图形传递的稳定性和精度，从而提高了半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层上形成若干相互分立的牺牲层，相邻所述牺牲层之间具有第一开口；在所述第一开口底部表面和侧壁表面形成侧墙材料层，且所述侧墙材料层覆盖所述牺牲层的侧壁和顶部表面；在所述侧墙材料层表面形成保护层，所述保护层的厚度大于等于10Å；在所述保护层上形成第一图形化层，所述第一图形化层内具有第一图形化开口，所述第一图形化开口暴露出其中一个或多个所述第一开口；在暴露出的所述第一开口内形成阻挡层，所述阻挡层的顶部表面低于所述牺牲层的顶部表面；去除所述保护层；去除所述第一开口底部表面和所述牺牲层顶部表面的侧墙材料层；去除所述牺牲层，在剩余所述侧墙材料层之间形成第二开口。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号