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龙图腾网恭喜武汉高芯科技有限公司申请的专利一种高一致性工作偏置电压的碲镉汞器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112436023B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011157834.5，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种高一致性工作偏置电压的碲镉汞器件及其制备方法是由黄立;严冰;张冰洁;张传杰;杨朝臣;凡陈玲设计研发完成，并于2020-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高一致性工作偏置电压的碲镉汞器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于碲镉汞器件技术领域，具体涉及一种高一致性工作偏置电压的碲镉汞器件及其制备方法：碲镉汞吸收区上形成有PN结区，碲镉汞吸收区及PN结区上覆盖有第一钝化层；第一钝化层上对应PN结区位置处的四周设有与公共电极孔，公共电极孔通过公共电极网格与环绕阵列四周的边缘公共电极连接，PN结区位于公共电极网格的空格下方；第一钝化层和公共电极网格上覆盖有第二钝化层；PN结区正上方的第二钝化层上设有PN结区电极，且PN结区电极延伸至PN结区；PN结区电极上设有铟柱。本发明不仅能够实现碲镉汞中心像素和边缘像素的工作偏置电压点基本达到一致，同时通过设计公共电极孔和避免公共电极网格与碲镉汞吸收区直接接触，从而减少表面漏电与串音。

本发明授权一种高一致性工作偏置电压的碲镉汞器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高一致性工作偏置电压的碲镉汞器件，其特征在于：包括碲镉汞吸收区、第一钝化层、PN结区、公共电极孔、公共电极网格、第二钝化层、PN结区电极和铟柱；所述碲镉汞吸收区上形成有PN结区，所述碲镉汞吸收区及所述PN结区上覆盖有第一钝化层；所述第一钝化层上对应所述PN结区位置处的四周设有与所述碲镉汞吸收区连接的公共电极孔，所述公共电极孔通过公共电极网格与环绕阵列四周的边缘公共电极连接，所述PN结区位于所述公共电极网格的空格下方；所述第一钝化层和所述公共电极网格上覆盖有第二钝化层，所述公共电极网格位于所述第一钝化层上；所述PN结区正上方的所述第二钝化层上设有PN结区电极，且所述PN结区电极延伸至所述PN结区；所述PN结区电极上设有铟柱。

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