买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利在湿法腐蚀衬底硅中保护正面电路的方法及微电子机械器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114057157B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010779451.5，技术领域涉及：B81B7/04；该发明授权在湿法腐蚀衬底硅中保护正面电路的方法及微电子机械器件是由贺晓彬;李俊峰;刘金彪;李亭亭;高建峰设计研发完成，并于2020-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本在湿法腐蚀衬底硅中保护正面电路的方法及微电子机械器件在说明书摘要公布了：本发明涉及微电子机械系统设计及加工技术领域，具体涉及一种在湿法腐蚀衬底硅中保护正面电路的方法及微电子机械器件，包括以下步骤：在衬底硅的背面生长硬掩模；对衬底硅的背面进行图案化处理；在硬掩模上形成图案；在所述衬底硅的正面涂敷SU‑8胶进行保护；使用四甲基氢氧化胺腐蚀所述衬底硅的背面；去除所述衬底硅正面涂敷的SU‑8胶。使得衬底硅的正面电路在TMAH腐蚀过程中不受侵蚀，同时还可以保证在涂敷过程中衬底硅的正面电路不受损伤，能有效的保护MEMS器件，为MEMS的发展带来更广阔的应用前景。

本发明授权在湿法腐蚀衬底硅中保护正面电路的方法及微电子机械器件在权利要求书中公布了：1.一种在湿法腐蚀衬底硅中保护正面电路的方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底硅的背面生长硬掩模；采用红外穿透的方式完成背面图形和正面图形的对准，对准精度小于1μm，对衬底硅的背面进行图案化处理，对衬底硅的正面进行涂胶保护；使用缓冲刻蚀剂湿法腐蚀在硬掩模上形成图案；使用湿法去胶工艺对衬底硅进行去胶处理；采用HMDS对衬底硅进行疏水化处理，以旋转涂胶的方式在所述衬底硅的正面涂敷SU-8胶进行保护，转速为3000rpm，旋转时间为60s，SU-8胶螺旋状滴在衬底硅中心位置；对正面涂敷SU-8胶的衬底硅进行烘干处理，烘干后并不曝光以避免SU-8胶交联；使用四甲基氢氧化胺腐蚀所述衬底硅的背面；使用有机去胶液去除所述衬底硅正面涂敷的SU-8胶，温度为90-110℃，待衬底硅正面涂敷的SU-8胶被溶解干净，将衬底硅用IPA清洗，然后使用氮气吹干。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。