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龙图腾网恭喜江苏矽腾半导体材料有限公司申请的专利一种单晶硅的磨削方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119217157B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411771106.1，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权一种单晶硅的磨削方法是由杨帅;程冬平;周凌龙;刘学军设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单晶硅的磨削方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体硅材料加工技术领域，且公开了一种单晶硅的磨削方法，该方法针对单晶硅硅片的磨削加工，主要步骤包括，将硅棒切割成多个硅片样本，并按照不同应用领域设定硅片厚度，将硅片样本的切割面作为磨削面，并设定磨削阶段，包括磨削准备、加工和后处理阶段，对磨削面进行光照分析，通过不同投射方式获取光照分析图，识别磨削面上的凸起和凹陷区域，利用阴影区域获取策略和阴影区域匹配策略，确定磨削面上的缺陷位置，根据识别的凸起和凹陷区域，执行磨削策略，包括磨削点位的确定和凸起区域的磨削。

本发明授权一种单晶硅的磨削方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅的磨削方法，其特征在于：包括，将硅棒切割分为多个硅片样本；硅片样本的磨削区域为圆形，切割的厚度以制造行业的标准来定，若在集成电路制造中，硅片的厚度在75100微米之间；若在光伏行业的制造中，硅片的厚度在150微米到200微米（0.15毫米到0.2毫米）之间；设定硅片样本的磨削阶段，分为磨削准备阶段、磨削加工阶段与磨削后处理阶段；获取n个硅片样本，进行编号，生成硅片样本集合E，表示为E={，，...，}，其中表示为第i个硅片样本，n为硅片样本个数；将硅片样本的切割面标记为磨削面，磨削面表面为圆形；设定投射时间间隔，记为Q；设置投射光源对磨削面进行投射的角度范围区间，为[0°，180°]；在磨削面上设置两条相互垂直的基准线，分别记为基准线P与基准线I；基准线的交点设置在磨削面的圆心处；将基准线P标记为纵向线，基准线I标记为横向线；在磨削面上，作垂直于纵向线的半圆形截面，标记为截面Z，作垂直于横向线的半圆截面，标记为截面X；通过投射光源沿着半圆形截面进行投射，投射方式分为第一投射方式与第二投射方式；所述第一投射方式为，投射光源沿着截面Z上的边缘对磨削面进行投射；所述第二投射方式为，投射光源沿着截面X上的边缘对磨削面进行投射；根据两种投射方式，通过投射光源对磨削面进行投射，获取第一投射方式与第二投射方式生成的光照分析图集合，分别记为光照分析图集合U与光照分析图集合Y；所述光照分析图为，投射光源在某一角度向磨削面进行投射形成的光照区域，该光照区域用于获取磨削面的凸起区域以及凹陷区域；凹陷区域由于低于周围表面，投射光源进行照射时，凹陷的底部无法被直接照亮，导致阴影区域加深，凹陷区域的边缘较陡，投射光源会在边缘处聚焦，使得凹陷边缘出现明亮的高光区域；根据光照分析图集合U与集合Y，获取磨削面上的凸起区域与凹陷区域；在磨削加工阶段开始时，针对凸起区域与凹陷区域，执行磨削策略。

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