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申请/专利权人:杰华特微电子(杭州)有限公司
申请日:2016-03-31
公开(公告)日:2016-10-05
公开(公告)号:CN205621742U
专利技术分类:.....由绝缘栅产生场效应的[2006.01]
专利摘要:本实用新型提供一种MOS结构,包括半导体衬底和形成在半导体衬底上的漂移区;形成在漂移区内的掺杂类型与漂移区相反的体区和掺杂类型与漂移区相同的漏区;形成在体区内的掺杂类型与漂移区相同的源区;形成在源区内的沟槽,沟槽的深度大于源区的深度且小于体区的深度,源区从沟槽的侧壁引出;形成在沟槽下方,位于体区内的重掺的且与体区掺杂类型相同的体区引出;形成在半导体衬底表面且横跨体区和漂移区的栅极结构以及形成在栅极结构两侧的侧墙。
专利权项:一种MOS结构,其特征在于,包括:半导体衬底和形成在半导体衬底上的漂移区;形成在漂移区内的掺杂类型与漂移区相反的体区和掺杂类型与漂移区相同的漏区;形成在体区内的掺杂类型与漂移区相同的源区;形成在所述源区内的沟槽,所述沟槽的深度大于源区的深度且小于体区的深度,所述源区从沟槽的侧壁引出;形成在沟槽下方,位于体区内的重掺的且与体区掺杂类型相同的体区引出;形成在半导体衬底表面且横跨体区和漂移区的栅极结构以及形成在栅极结构两侧的侧墙。
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