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申请/专利权人：深圳市尚鼎芯科技有限公司
申请日：2022-05-27
公开（公告）日：2022-09-20
公开（公告）号：CN115084128A
专利技术分类：.包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种mos板图，以及其应用的mos管单元及功率mos管；版图方面，根据版图规则设计版图，包括有衬底层、源漏层、栅极层和金属层；其中，源漏层包括有长条和短条，栅极层与长条的形成并联单元，长条上形成多个第一漏极和第一源极，且相邻设置的第一源极和第二漏极合并为同一位置；栅极层与短条形成串联单元，短条上形成多个依次排列的第二漏极、串联点和第二源极，且相邻设置的第二源极和第二漏极合并为同一位置；长条以及的短条在形成源极和漏极时，漏极和源极的漏极可以理解为重叠共同设置，使得该位置即作为漏极亦可作为下个mos的源极，进而减少了版图设计的面积。
专利权项：1.一种mos版图，其特征在于，根据版图规则设计版图，包括有衬底层、源漏层、栅极层和金属层；其中，源漏层包括有长条和短条，栅极层与长条的形成并联单元，长条上形成多个第一漏极和第一源极，且相邻设置的第一源极和第二漏极合并为同一位置；栅极层与短条形成串联单元，短条上形成多个依次排列的第二漏极、串联点和第二源极，且相邻设置的第二源极和第二漏极合并为同一位置。
百度查询： 深圳市尚鼎芯科技有限公司 mos版图及应用其的mos管单元及功率mos管
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