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申请/专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日：2014-12-17
公开（公告）日：2016-07-13
公开（公告）号：CN105762113A
专利技术分类：....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种MOS电路制造方法及MOS电路，其中方法包括：在衬底上形成阱区，在所述阱区上形成氧化层；在所述氧化层上淀积未掺杂的多晶硅膜层；对所述多晶硅膜层进行第一掺杂；对所述多晶硅膜层进行光刻、刻蚀，形成第一多晶硅电阻和第二多晶硅电阻；对所述第二多晶硅电阻的一侧进行第二掺杂；其中，所述第二掺杂的浓度大于所述第一掺杂的浓度；所述第一掺杂为N掺杂，第二掺杂为P掺杂；或者，所述第一掺杂为P掺杂，第二掺杂为N掺杂。本发明提供的MOS电路制造方法及MOS电路中，二极管和电阻仅用两次掺杂工艺即可形成，不需要对二极管和电阻分别设置光刻、掺杂工艺，能够提高MOS电路的制造效率，并且降低工艺成本。
专利权项：一种MOS电路制造方法，其特征在于，包括：在衬底上形成阱区，在所述阱区上形成氧化层；在所述氧化层上淀积未掺杂的多晶硅膜层；对所述多晶硅膜层进行第一掺杂；对所述多晶硅膜层进行光刻、刻蚀，形成第一多晶硅电阻和第二多晶硅电阻；对所述第二多晶硅电阻的一侧进行第二掺杂；其中，所述第二掺杂的浓度大于所述第一掺杂的浓度；所述第一掺杂为N掺杂，第二掺杂为P掺杂；或者，所述第一掺杂为P掺杂，第二掺杂为N掺杂。
百度查询： 北大方正集团有限公司 深圳方正微电子有限公司 MOS电路制造方法及MOS电路
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