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申请/专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日：2011-05-27
公开（公告）日：2011-10-12
公开（公告）号：CN102214696A
专利技术分类：.....由绝缘栅产生场效应的[2006.01]
专利摘要：本发明提供了一种功率MOS器件及功率MOS器件制造方法。根据本发明的功率MOS器件制造方法包括：有源区形成步骤，用于在衬底中形成有源区，有源区具体包括源极区域和漏极区域；第一N型漂移区离子注入步骤，用于在漏极区域中形成第一N型漂移区。栅极多晶硅淀积步骤，用于沉积栅极多晶硅；执行栅极刻蚀步骤，用于对栅极多晶硅进行刻蚀；第二N型漂移区离子注入步骤，用于在漏极区域中形成第二N型漂移区，所述第二N型漂移区位于所述第一N型漂移区下方。本发明有利地通过两次N型漂移区离子注入步骤形成了两个掺杂区域，使得栅极下电场消弱，保护栅极氧化硅，改善器件可靠性。
专利权项：一种功率MOS器件制造方法，其特征在于包括：有源区形成步骤，用于在衬底中形成有源区，有源区具体包括源极区域和漏极区域；第一N型漂移区离子注入步骤，用于在漏极区域中形成第一N型漂移区。栅极多晶硅淀积步骤，用于沉积栅极多晶硅；执行栅极刻蚀步骤，用于对栅极多晶硅进行刻蚀；第二N型漂移区离子注入步骤，用于在漏极区域中形成第二N型漂移区，所述第二N型漂移区位于所述第一N型漂移区下方。
百度查询： 上海宏力半导体制造有限公司 功率MOS器件及功率MOS器件制造方法
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