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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2005-06-24
公开（公告）日：2011-03-30
公开（公告）号：CN1712560B
专利技术分类：.以镀覆方法为特征的（C23C16/04优先）[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种垂直CVD装置，其包括构成来向处理室中供给处理气体的供给系统和构成来控制该装置的操作的控制部件。该供给系统包括连接到第一反应气体管线以供给第一反应气体的多个第一运输孔，和连接到第二反应气体管线以供给第二反应气体的多个第二运输孔。每组第一运输孔和第二运输孔在与目标基板的边缘相邻的位置上在垂直方向上排列，以便完全在间隔地堆叠的目标基板的垂直长度上分布。控制部件控制供给系统，从而交替地供给第一和第二反应气体，由此在目标基板上形成来源于第一和第二反应气体的薄膜。
专利权项：一种用于在垂直CVD装置中在多个目标基板上一起执行CVD工艺的方法，该装置包括：设置来容纳所述目标基板的气密处理室；设置来在所述处理室中固定间隔堆叠的所述目标基板的固定器；设置来加热所述处理室中的大气的加热器；设置来对所述处理室进行排气的排气系统；和设置来向所述处理室中供给处理气体的供给系统，该方法包括：第一步骤，供给作为所述处理气体的第一反应气体和第二反应气体中的一种气体同时停止另一种气体，以便使该一种气体被吸收在所述目标基板的表面上；和第二步骤，供给所述另一种气体同时停止所述一种气体，以便使所述另一种气体作用于被吸收在所述目标基板表面上的所述一种气体上，其中所述第一步骤和第二步骤多次交替地执行，由此在所述目标基板上形成来源于所述第一反应气体和第二反应气体的薄膜，和其中从在与所述目标基板的边缘相邻的位置上在垂直方向排列的多个第一运输孔供给所述第一反应气体，以便完全在间隔堆叠的所述目标基板的垂直长度上分布，并且从在与所述目标基板的边缘相邻的位置上在垂直方向排列的多个第二运输孔供给所述第二反应气体，以便完全在间隔堆叠的所述目标基板的垂直长度上分布，其中所述第一反应气体和所述第二反应气体具有2.66kPa以上的蒸气压和250kJmol以上的键解离能。
百度查询： 东京毅力科创株式会社 使用垂直CVD装置的CVD方法
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