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申请/专利权人：艾克斯特朗欧洲公司
申请日：2010-08-04
公开（公告）日：2012-07-18
公开（公告）号：CN102597307A
专利技术分类：.以镀覆方法为特征的（C23C16/04优先）[2006.01]
专利摘要：本发明涉及一种用于在一个或多个衬底21上沉积半导体层的装置和方法，所述半导体特别地包括多种成分，所述衬底置于基座2之上，其中加工气体与载气一起通过进气元件8的流动管道15，16；18引入该加工腔1中，该载气基本上平行于基座流经所述加工腔1以及通过出气元件7离开，其中所述加工气体的分解产物在衬底表面上和在设置在基座2下游且与所述基座2下游边缘21有间距D的出气元件7的表面上至少区域性地生长形成涂层。为了在无需过渡性置换或无需过渡性清洗出气元件的条件下在先后依次的工艺步骤中沉积无污染的层，建议所述间距D足够大，从而抑制在第二加工温度下由所述出气元件7的涂层蒸发的分解产物通过逆流扩散到达衬底21。
专利权项：一种用于在一个或多个衬底21上沉积半导体层的方法，所述半导体特别地包括多种成分，所述衬底置于基座2之上，该基座形成由加热设备5加热至加工温度的加工腔1的壁，其中由气体混合系统22提供的加工气体与载气一起通过进气元件8的流动管道15，16；18引入该加工腔1中，该载气基本上平行于基座流经所述加工腔1以及通过出气元件7离开，其中所述加工气体至少在经加热的衬底21的表面上热解分解为分解产物，该分解产物在衬底表面上和在设置在基座2下游且与所述基座2下游边缘21有间距D的出气元件7的表面上至少区域性地生长形成涂层，其中第一工艺步骤在第一加工温度下进行，以及之后在无需过渡性清洗或置换被生长出的分解产物覆盖的进气元件7的条件下在高于所述第一加工温度的第二加工温度下进行第二工艺步骤，其特征在于，所述间距D足够大，从而抑制在第二加工温度下由所述出气元件7的涂层蒸发的分解产物、其片段或聚结物通过逆流扩散或再循环到达衬底21，和或在所述两个工艺步骤期间对所述出气元件7进行热处理，使其表面温度在所述两个工艺步骤中仅非本质性地彼此不同。
百度查询： 艾克斯特朗欧洲公司 CVD方法和CVD反应器
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