申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请日：2019-08-13

公开（公告）日：2020-08-11

公开（公告）号：CN110444658B

主分类号：H01L39/12(20060101)

分类号：H01L39/12(20060101);H01L39/24(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.08.11#授权;2019.12.06#实质审查的生效;2019.11.12#公开

摘要：本发明提供一基于AlMn合金超导薄膜的TES微量能器及制备方法，该方法包括：对由下至上包括下介质层、半导体衬底及上介质层的衬底结构进行背面刻蚀，以形成弱导热沟槽；于上介质层上形成两平行排布的电极，于两电极及其间的上介质层上形成AlMn合金超导薄膜；于上介质层及AlMn合金超导薄膜上形成设有接触孔的第一图形化掩膜层；于第一图形化掩膜层及接触孔上形成中间缓冲层，于中间缓冲层上形成设有形成孔的第二图形化掩膜层；于形成孔中形成包括接触点和吸收层本体的吸收层，去除第二图形掩膜层；去除吸收层外围的中间缓冲层，去除第一图形掩膜层，以通过接触点及其下的中间缓冲层实现吸收层本体和AlMn合金超导薄膜的连接。

主权项：1.一种基于AlMn合金超导薄膜的TES微量能器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底结构，其中所述衬底结构包括半导体衬底，形成于所述半导体衬底上表面的上介质层及形成于所述半导体衬底下表面的下介质层；对所述下介质层及所述半导体衬底进行刻蚀，直至暴露出所述上介质层，以于所述衬底结构中形成弱导热沟槽；于所述上介质层的上表面形成两平行排布的电极，之后于两所述电极及其间的所述上介质层的上表面形成AlMn合金超导薄膜；于所述上介质层及所述AlMn合金超导薄膜的上表面形成第一图形化掩膜层，其中所述第一图形化掩膜层中设有暴露出所述AlMn合金超导薄膜的接触孔；于所述第一图形化掩膜层及所述接触孔的上表面形成中间缓冲层，之后于所述中间缓冲层的上表面形成第二图形化掩膜层，其中所述第二图形化掩膜层中设有暴露出所述接触孔的一形成孔；于所述形成孔中所述中间缓冲层的上表面形成吸收层，之后去除所述第二图形掩膜层，其中所述吸收层包括形成于所述接触孔中的接触点，及形成于所述中间缓冲层和所述接触点上表面的吸收层本体；去除所述吸收层外围的所述中间缓冲层，之后去除所述第一图形掩膜层，以通过所述接触点及其下表面的所述中间缓冲层实现所述吸收层本体和所述AlMn合金超导薄膜的连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 基于AlMn合金超导薄膜的TES微量能器及制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD