申请/专利权人：北京邮电大学

申请日：2020-06-09

公开（公告）日：2020-09-18

公开（公告）号：CN111682858A

主分类号：H03F3/21(20060101)

分类号：H03F3/21(20060101);H03F1/52(20060101);H03F1/02(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.10.27#发明专利申请公布后的驳回;2020.10.20#实质审查的生效;2020.09.18#公开

摘要：本发明实施例提供了一种InGaPGaAsHBT双频功率放大器芯片，上述双频功率放大器芯片包括：衬底、输入端口1、输出端口2、输入匹配电路3、级间匹配电路4、双频输出匹配电路5、驱动级晶体管6以及输出级晶体管7；其中，输入端口1与输入匹配电路3的第一端连接；输入匹配电路3的第二端与驱动级晶体管6的基极连接；驱动级晶体管6的集电极与级间匹配电路4的第一端连接；级间匹配电路4的第二端与输出级晶体管7的基极连接；输出级晶体管7的集电极与双频输出匹配电路5的第一端连接；双频输出匹配电路5的第二端与输出端口2连接。本发明实施例提供的双频功率放大器芯片具备双频工作能力。

主权项：1.一种磷化镓铟砷化镓异质结双极晶体管InGaPGaAsHBT双频功率放大器芯片，其特征在于，所述InGaPGaAsHBT双频功率放大器芯片包括：衬底、输入端口1、输出端口2、输入匹配电路3、级间匹配电路4、双频输出匹配电路5、驱动级晶体管6以及输出级晶体管7；其中，所述输入端口1、输出端口2、输入匹配电路3、级间匹配电路4、双频输出匹配电路5、驱动级晶体管6以及输出级晶体管7构建于所述衬底上；所述输入端口1与所述输入匹配电路3的第一端连接；所述输入匹配电路3的第二端与所述驱动级晶体管6的基极连接；所述驱动级晶体管6的集电极与所述级间匹配电路4的第一端连接，所述驱动级晶体管6的发射极接地；所述级间匹配电路4的第二端与所述输出级晶体管7的基极连接；所述输出级晶体管7的集电极与所述双频输出匹配电路5的第一端连接，所述输出级晶体管7的发射极接地；所述双频输出匹配电路5的第二端与所述输出端口2连接；所述输入匹配电路3为使得所述输入端口1的阻抗与所述驱动级晶体管6的阻抗相匹配的电路；所述级间匹配电路4为使得所述驱动级晶体管6的阻抗与所述输出级晶体管7的阻抗相匹配的电路；所述双频输出匹配电路5为使得所述输出级晶体管7的阻抗与所述输出端口2的阻抗相匹配的电路；驱动级晶体管6为：InGaPGaAsHBT；所述输出级晶体管7为：InGaPGaAsHBT；所述输入端口1用于获得待放大信号，并向所述输入匹配电路3传输所述待放大信号；所述输入匹配电路3用于向所述驱动级晶体管6传输所述待放大信号；所述驱动级晶体管6的集电极用于获得第一偏置电压，所述驱动级晶体管6用于基于所述第一偏置电压放大所述待放大信号的功率，得到第一信号，并向所述级间匹配电路4传输所述第一信号；所述级间匹配电路4用于向所述输出级晶体管7传输所述第一信号；所述输出级晶体管7的集电极用于获得第二偏置电压，所述输出级晶体管7用于基于所述第二偏置电压放大所述第一信号的功率得到第二信号，并向所述双频输出匹配电路5传输所述第二信号；所述双频输出匹配电路5用于向所述输出端口2传输所述第二信号中频率在预设的两个频段内的信号；所述输出端口2用于输出所述双频输出匹配电路5传输的信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京邮电大学 一种InGaP/GaAs HBT双频功率放大器芯片

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