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申请/专利权人：文华学院
摘要：本发明公开了一种GaAs基深刻蚀工艺硬质掩膜材料及其制备方法，该制备方法包括：提供洁净的GaAs衬底；采用外延工艺，在GaAs衬底的表面生长AlXGa1‑XAs薄层；采用光刻工艺，在GaAs衬底的表面旋涂光刻胶、曝光与显影，将光刻掩膜板上的掩膜图形转移到光刻胶表面，得到光刻胶掩膜图形；采用ICP干法刻蚀工艺，以光刻胶为掩膜，完全垂直刻穿AlXGa1‑XAs薄层至GaAs衬底的表面，去胶处理后在GaAs衬底的表面形成AlXGa1‑XAs薄层图形；采用湿法氧化工艺，以将AlXGa1‑XAs氧化生成Al2O3，形成Al2O3薄层图形，以得到GaAs基深刻蚀工艺硬质掩膜材料。本发明旨在通过深刻蚀工艺制作硬质掩膜材料，为GaAs基深刻蚀工艺开发提供了一种新的可行方法和途径。
主权项：1.一种GaAs基深刻蚀工艺硬质掩膜材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供洁净的GaAs衬底；采用外延工艺，在所述GaAs衬底的表面生长AlXGa1-XAs薄层，以在所述GaAs衬底的表面形成外延层；采用光刻工艺，在所述外延层的表面旋涂光刻胶、曝光与显影，将光刻掩膜板上的掩膜图形转移到光刻胶表面，得到光刻胶掩膜图形；采用ICP干法刻蚀工艺，以光刻胶为掩膜，完全垂直刻穿AlXGa1-XAs薄层至所述GaAs衬底的表面，去胶处理后在所述GaAs衬底的表面形成AlXGa1-XAs薄层图形；对所述AlXGa1-XAs薄层进行湿法氧化，以将AlXGa1-XAs薄层氧化生成Al2O3薄层，形成Al2O3薄层图形，以得到GaAs基深刻蚀工艺硬质掩膜材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 文华学院 一种GaAs基深刻蚀工艺硬质掩膜材料及其制备方法
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