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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2020-03-05
公开（公告）日：2022-02-08
公开（公告）号：CN111258186B
主分类号：G03F7/20(20060101)
分类号：G03F7/20(20060101)
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2022.02.08#授权;2020.07.03#实质审查的生效;2020.06.09#公开
摘要：本发明涉及一种筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值和预测其被曝光显影的风险的方法，涉及半导体制造技术，首先在测试版图上筛选出特征尺寸逐渐增大的孤立图形，然后利用已建好的对应光刻工艺条件下的OPC光学模型模拟仿真计算得出光通过所筛选出的测试版图后各自的最大光强值Imax，随着CD的增大光强值Imax值也逐渐增加，然后在曝光、显影之后的硅片上检查这些光强值Imax值逐渐增大的版图在光刻胶上的显影情况，在光刻胶上将要显影所对应的光强值Imax值即为筛选出来的SRAF在光刻胶上显影的光强阈值，该方法能够在收集较少的数据情况下快速高效筛选出所有SRAF在该光刻工艺条件下在光刻胶上显影的光强阈值，减少工作量，提高工作效率。
主权项：1.一种筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值的方法，其特征在于，包括：S1：在测试版图上筛选出特征尺寸逐渐增大的孤立图形；S2：利用已建好的对应的光刻工艺条件下的OPC光学模型模拟仿真计算得出光通过所筛选出的所有孤立图形各自的最大光强值Imax；以及S3：在对应的光刻工艺条件下对测试版图掩模板进行曝光、显影，检测特征尺寸逐渐增大的孤立图形在光刻胶上的显影情况，然后筛选出特征尺寸逐渐增大的孤立图形的版图将要在光刻胶上显影出来所对应的光强值Imax，该光强值Imax即为该光刻工艺条件下SRAF在光刻胶上显影的光强阈值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值和预测其被曝光显影的风险的方法
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