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一种以GaAs-OI基为外腔反馈的底发射VCSEL激光器及制备方法 

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申请/专利权人:北京工业大学

摘要:本发明公开了一种以GaAs‑OI基为外腔反馈的底发射VCSEL激光器及制备方法,包括:由施主晶圆上表面结构和受主晶圆上表面结构键合而成的GaAs‑OI复合晶圆;GaAs‑OI复合晶圆包括沿上下方向依次设置的Si衬底、光模式损耗层、介质层和单晶GaAs薄膜层;GaAs‑OI复合晶圆的单晶GaAs薄膜层上生长有底发射VCSEL外延结构,GaAs‑OI复合晶圆的Si衬底的下表面设有反射膜。本发明将底发射VCSEL激光器的外延结构生长在GaAs‑OI复合晶圆上,可以实现VCSEL激光器超大规模集成,进一步提高器件输出激光的性能,从而促进VCSEL激光器在相关领域的工业应用。

主权项:1.一种以GaAs-OI基为外腔反馈的底发射VCSEL激光器,其特征在于,包括:GaAs-OI复合晶圆;所述GaAs-OI复合晶圆包括沿上下方向依次设置的Si衬底、光模式损耗层、介质层和单晶GaAs薄膜层;所述GaAs-OI复合晶圆的单晶GaAs薄膜层上生长有底发射VCSEL外延结构,所述GaAs-OI复合晶圆的Si衬底的下表面设有反射膜。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京工业大学 一种以GaAs-OI基为外腔反馈的底发射VCSEL激光器及制备方法

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