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申请/专利权人：四川泰瑞创通讯技术股份有限公司
摘要：本发明公开了一种VCSEL阵列、VCSEL激光器及其制备方法，涉及光学设备技术领域，其中，VCSEL激光器包括外壳、基板和热沉基座，外壳包括上盖和下盖，上盖和下盖围成容纳腔，下盖上开设有安装槽，安装槽内设置有标签；基板安装在容纳腔内并与上盖连接，且基板朝向下盖的一端开设有凹槽；热沉基座安装在凹槽的槽底上，且热沉基座背离槽底的一侧安装有光电芯片，光电芯片背离热沉基座的一侧安装有光学透镜，光学透镜远离光电芯片的一侧靠近凹槽的槽口设置，并使光学透镜与下盖之间形成间隙。本发明通过凹槽将光电芯片和光学透镜下沉以使光学透镜与下盖之间的距离增加，从而可以对下盖进行加厚，提高了下壳的制备良率。
主权项：1.一种VCSEL激光器，其特征在于，包括：外壳，所述外壳包括上盖和下盖，所述上盖和所述下盖围成容纳腔，所述下盖上开设有安装槽，所述安装槽内设置有标签；基板，所述基板安装在所述容纳腔内并与所述上盖连接，且所述基板朝向所述下盖的一端开设有凹槽；热沉基座，所述热沉基座安装在所述凹槽的槽底上，且所述热沉基座背离所述槽底的一侧安装有光电芯片，所述光电芯片背离所述热沉基座的一侧安装有光学透镜，所述光学透镜远离所述光电芯片的一侧靠近所述凹槽的槽口设置，并使所述光学透镜与所述下盖之间形成间隙，所述下盖对应所述光学透镜对应处开设有避让口。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 四川泰瑞创通讯技术股份有限公司 VCSEL阵列、VCSEL激光器及其制备方法
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