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申请/专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
摘要：本发明提供一种具有多重限制隔离的VCSEL及VCSEL制作方法，通过设置第一氧化层、第二氧化层、第三氧化层和离子注入层，并且第一氧化层的氧化深度、第二氧化层的氧化深度、第三氧化层的氧化深度和离子注入层的离子扩散深度依次减小，以及对各氧化层的氧化形状进行特殊设置，形成特殊的限制图形来实现多重限制隔离，从而形成特定的限制孔径，对载流子的扩散路径进行有效控制，将载流子集中化注入到有源区。
主权项：1.一种具有多重限制隔离的VCSEL，包括自下而上依次层叠的衬底、N-DBR层、有源层、限制隔离层和P-DBR层，其特征在于，所述限制隔离层包括自下而上依次层叠的第一氧化层、第二氧化层、第三氧化层和离子注入层，所述第一氧化层的氧化深度、第二氧化层的氧化深度、第三氧化层的氧化深度和离子注入层的离子扩散深度依次减小，所述第一氧化层的氧化末端呈第一尖形，该第一尖形的顶点位于所述第一氧化层的上下表面之间且靠近所述第一氧化层的上表面设置，所述第二氧化层的氧化末端呈第二尖形，所述第二尖形的顶点与所述第二氧化层的下表面齐平，所述第三氧化层的氧化末端呈第三尖形，所述第三尖形的顶点与所述第三氧化层的下表面齐平，所述第三尖形靠上一侧的倾斜角大于所述第二尖形靠上一侧的倾斜角；其中，所述第二氧化层的氧化深度比所述第一氧化层的氧化深度小0.5-1.5um，所述第三氧化层的氧化深度比所述第二氧化层的氧化深度小1-5um；所述第一尖形靠上一侧的倾斜角、所述第一尖形靠下一侧的倾斜角、所述第二尖形靠上一侧的倾斜角和所述第三尖形靠上一侧的倾斜角的范围为15-50度。
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