龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：黄智方
摘要：本发明揭露一种具有第IVA族离子注入的MOSFET的结构与制造方法，第IVA族离子注入层设置于基极之中，且第IVA族离子注入层接近于该栅极氧化层与该基极的交界面；其中，第IVA族离子注入层用来改变结构的一通道的性质。本发明提出的第IVA族离子注入的金属氧化物半导体场效应晶体管的结构与制造方法可用来改善栅极氧化层品质，提升场效电子迁移率。
主权项：1.一种具有第IVA族离子注入的碳化硅MOSFET的结构，其特征在于，包含：一基极；一栅极电极，该栅极电极与该基极之间具有一栅极氧化层；以及一第IVA族离子注入层，设置于该基极之中，且该第IVA族离子注入层接近于该栅极氧化层与该基极的交界面；其中，该第IVA族离子注入层用来改变该结构的一通道的性质；在栅极氧化层进行氧化前，向SiC层注入第IVA族离子，形成第IVA族元素离子注入层；该第IVA族离子注入层不设置于该栅极氧化层中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 黄智方 具有第IVA族离子注入的MOSFET的结构与制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号