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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日：2020-10-30
公开（公告）日：2023-09-22
公开（公告）号：CN112309918B
主分类号：H01L21/67
分类号：H01L21/67;G06F16/903
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2023.09.22#授权;2021.02.23#实质审查的生效;2021.02.02#公开
摘要：本发明提供了一种VT‑BS模型的先进工艺控制方法、系统及半导体设备，先进工艺控制方法包括以下步骤：提供全局VT‑BS路径配置、全局VT‑BS炉管Recipe配置和全局VT‑BS炉管ChargeRule配置；根据所述全局VT‑BS路径配置、所述全局VT‑BS炉管Recipe配置和所述全局VT‑BS炉管ChargeRule配置，通过VT‑BS路径组合配置算法对若干个待组批的Lot组批，得到VT‑BS路径组合、VT‑BSBatch及Wafer的VT‑BSPath信息；以Wafer是否在激活状态的所述VT‑BSBatch中为依据，对准备VT注入作业的Lot分批，进行VTImplant作业；根据所述VT‑BSBatch以及当前炉管Recipe信息，确定所有准备炉管作业的所有Lot中Wafer的BoatSlot，进行炉管作业。本发明提供的先进工艺控制方法能够对VT‑BS模型的实际运用进行精确控制，能够实现VTImplant剂量补偿炉管BoatSlot间的差异，提高产品良率与产量。
主权项：1.一种VT-BS模型的先进工艺控制方法，其特征在于，包括以下步骤：S100：提供全局VT-BS路径配置、全局VT-BS炉管Recipe配置和全局VT-BS炉管ChargeRule配置；S200：根据所述全局VT-BS路径配置、所述全局VT-BS炉管Recipe配置和所述全局VT-BS炉管ChargeRule配置，通过VT-BS路径组合配置算法对若干个待组批的Lot组批，得到VT-BS路径组合、VT-BSBatch及Wafer的VT-BSPath信息；S300：以Wafer是否在激活状态的所述VT-BSBatch中为依据，对准备VT注入作业的Lot分批，进行VTImplant作业；S400：根据所述VT-BSBatch以及当前炉管Recipe信息，确定所有准备炉管作业的所有Lot中Wafer的BoatSlot，进行炉管作业。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 VT-BS模型的先进工艺控制方法、系统及半导体设备
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