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申请/专利权人：香港科技大学;香港科技大学深圳研究院
摘要：本发明公开一种TeMX2范德华异质结构及其制备方法、自驱动光探测器，本发明通过化学气相沉积法制备了一种p‑n型的范德华异质结构TeMX2异质结，包括二维MX2层和一维Te纳米线，所述一维Te纳米线外延生长在所述二维MX2层表面，成60°或120°角度对齐；用于制备一种自驱动光探测器，光探测器光响应上升和衰减时间均小于0.1s，响应度大于650mAW，具有较高的响应速度和响应度。
主权项：1.一种TeMX2范德华异质结构，其特征在于，包括二维MX2层和一维Te纳米线，所述一维Te纳米线外延生长在所述二维MX2层表面，成60°或120°角度对齐；所述Te纳米线的厚度为10～20nm；所述二维MX2层为单层MX2，所述MX2层厚度为0.7nm；其中M为过渡金属,X为硫族非金属。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 香港科技大学 香港科技大学深圳研究院 一种Te/MX2范德华异质结构及其制备方法、自驱动光探测器
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