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申请/专利权人：国科大杭州高等研究院;中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要：本发明涉及半导体材料领域，公开了一种铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料及其制备方法、应用。该材料的化学式为CuInxSey，3＜x＜10，5＜y＜16；具有层状范德华单晶结构。制备方法包括：1）将Cu、In和Se真空密封升温熔融并保温，冷却，得到多晶棒；2）将多晶棒竖直置于双温区立式单晶炉中，温度由部至顶部递增，冷却，形成单晶铸锭；3）解理、切割，获得铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料。本发明发现符合上述条件的材料，室温塑性弯曲应变可达5‑50%，在厚度为100μm‑100mm内进行弯曲、扭转、折叠、压缩变形而不断裂，并且可保持室温电导率在100‑8000Sm‑1，且电导率随温度升高而增大。
主权项：1.一种铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料，其特征在于：化学式为CuInxSey，3＜x＜10，5＜y＜16；具有层状范德华单晶结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国科大杭州高等研究院 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料及其制备方法、应用
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