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申请/专利权人：华沙理工大学
摘要：本发明涉及一种制造基于过渡金属二硫属元素化物的范德华异质结构的方法，所述范德华异质结构通过化学气相沉积在石墨烯基底上选择性生长，其中石墨烯基底的表面用电子束辐照，由此通过将辐照过的基底暴露于空气来控制过渡金属二硫属元素化物在用电子束辐照过的区域中的生长。本发明还涉及通过所述方法制造的异质结构，其特征在于在石墨烯基底上生长呈单层的形式的二维结构。
主权项：1.一种用于制造基于过渡金属二硫属元素化物的范德华异质结构的方法，所述范德华异质结构通过化学气相沉积在石墨烯基底上选择性生长，其特征在于，所述石墨烯基底的表面用电子束辐照，由此通过将辐照过的基底暴露于空气来控制过渡金属二硫属元素化物在用电子束辐照过的区域中的生长。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华沙理工大学 使用电子束辐照通过化学气相沉积在石墨烯基底上选择性生长范德华异质结构的方法和通过该方法制造的异质结构
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