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基于FPGA的SDRAM测试方法 

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申请/专利权人:西安西谷微电子有限责任公司

摘要:本发明公开了一种基于FPGA的SDRAM测试方法,FPGA控制芯片接收到测试指令,对待测SDRAM芯片进行走步法写读并对比;如果写入数据与读出数据一致,继续对待测SDRAM芯片进行全0法写读并对比;如果写入数据与读出数据一致,继续对待测SDRAM芯片进行全1法写读并对比;如果写入数据与读出数据一致,继续对待测SDRAM芯片进行55AA法写读并对比;如果写入数据与读出数据一致,继续对待测SDRAM芯片进行AA55法写读并对比;如果写入数据与读出数据一致,继续对待测SDRAM芯片进行自定义写读法写读并对比;如果写入数据与读出数据一致,所述FPGA控制芯片根据测试指令对待测SDRAM芯片进行功能性测试;如果功能性测试的写入数据与读出数据依然一致,确定该SDRAM正常。

主权项:1.一种基于FPGA的SDRAM测试方法,其特征在于,该方法包括:FPGA控制芯片接收到测试指令,对待测SDRAM芯片进行走步法写读并对比;如果写入数据与读出数据一致,继续对待测SDRAM芯片进行全0法写读并对比;如果写入数据与读出数据一致,继续对待测SDRAM芯片进行全1法写读并对比;如果写入数据与读出数据一致,继续对待测SDRAM芯片进行55AA法写读并对比;如果写入数据与读出数据一致,继续对待测SDRAM芯片进行AA55法写读并对比;如果写入数据与读出数据一致,继续对待测SDRAM芯片进行自定义写读法写读并对比;如果写入数据与读出数据一致,所述FPGA控制芯片根据测试指令对待测SDRAM芯片进行工作电压检测、功耗检测、地址线检测、数据线检测、最大容量检测、运行频率检测、写入速度检测、读取速度检测、输出VOH检测、输出VOL检测、自定义工作电压输入检测和或自定义工作频率输入检测;如果功能性测试的写入数据与读出数据依然一致,确定该SDRAM正常。

全文数据:

权利要求:

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