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基于FeFET的可重构倍频器 

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申请/专利权人:浙江大学

摘要:本发明公开了基于FeFET的可重构倍频器,包括若干FeFET结构,所述FeFET结构为4nFeFET结构或4pFeFET结构或2nFeFET‑2pFeFET结构中的一种,4nFeFET结构包括两个相互串联的nFeFET单元;4pFeFET结构包括两个相互并联的pFeFET单元;2nFeFET‑2pFeFET结构包括模型一和模型二,模型一包括两个相互串联的第一互补型FeFET单元;模型二包括两个相互并联的第二互补型FeFET单元。本发明提出的三种结构的可重构倍频器的结构,电路面积大幅简化,最少只需要四个晶体管即可实现可重构的多种倍频效果,同时因为电路结构简单,能耗也大幅降低,充分利用FeFET可编程特性,实现可重构功能。

主权项:1.一种基于FeFET的可重构倍频器,其特征在于,所述可重构倍频器包括若干FeFET结构,所述FeFET结构为4nFeFET结构或4pFeFET结构或2nFeFET-2pFeFET结构中的一种,其中,所述4nFeFET结构包括两个nFeFET单元、电阻R1和电容Cout1,两个nFeFET单元串联连接,每个nFeFET单元包括两个并联的n型FeFET;所述4pFeFET结构包括两个pFeFET单元、电阻R2和电容Cout2,两个pFeFET单元并联连接,每个pFeFET单元由两个p型FeFET串联构成;所述2nFeFET-2pFeFET结构包括模型一和模型二,模型一包括两个第一互补型FeFET单元,电阻R3和一个电容Cout3,两个第一互补型FeFET单元串联连接,每个第一互补型FeFET单元由一个p型FeFET和一个n型FeFET并联构成;模型二包括两个第二互补型FeFET单元,电阻R4和电容Cout4,两个第二互补型FeFET单元并联连接,每个第二互补型FeFET单元由一个p型FeFET和一个n型FeFET串联构成。

全文数据:

权利要求:

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