买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：成都嘉纳海威科技有限责任公司

摘要：本发明公开了一种高谐波抑制倍频放大多功能芯片，属于集成电路设计技术领域，包括依次连接的基波放大限幅网络、谐波滤波倍频网络和谐波放大网络。本发明中基波放大限幅网络通过两级共源放大单元结合两级PIN型限幅单元实现基波信号的放大和功率限幅；谐波滤波倍频网络采用有源倍频结构结合滤波单元实现对谐波、杂波信号进行抑制后对基波信号进行谐波倍频；谐波放大网络采用四级放大结构结合温补单元和滤波单元，对基波和其他谐波信号进行抑制后，对谐波倍频信号进行放大温补。本发明具有高增益、高谐波抑制、功率温补和高集成度等优点。

主权项：1.一种高谐波抑制倍频放大多功能芯片，其特征在于，包括依次连接的基波放大限幅网络、谐波滤波倍频网络和谐波放大网络；所述基波放大限幅网络的输入端作为高谐波抑制倍频放大多功能芯片的输入端，所述谐波放大网络的输出端作为高谐波抑制倍频放大多功能芯片的射频输出端；所述基波放大限幅网络包括电感L1；所述电感L1的一端作为所述基波放大限幅网络的输入端，所述电感L1的另一端与电容C1的一端连接，所述电容C1的另一端分别与接地电感L2的一端和电感L3的一端连接，所述电感L3的另一端与场效应管M1的栅极连接，所述场效应管M1的源极分别与接地电阻R1和接地电容C2连接，所述场效应管M1的漏极分别与电感L4的一端和电容C3的一端连接，所述电感L4的另一端分别与接地电容C4和电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与漏极电源电压VD1连接，所述电容C3的另一端分别与电阻R6的一端和电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端分别与接地电阻R4和电阻R5的一端连接，所述电阻R5的另一端与栅极电源电压VG1连接，所述电阻R6的另一端与场效应管M2的栅极连接，所述场效应管M2的源极接地，所述场效应管M2的漏极分别与电容C7的一端和电感L5的一端连接，所述电感L5的另一端分别与接地电容C5、电阻R7的一端和漏极电源电压VD1连接，所述电阻R7的另一端与接地电容C6连接，所述电容C7的另一端分别与二极管D1的负极、二极管D2的正极和电感L6的一端连接，所述二极管D1的正极和二极管D2的负极均接地，所述电感L6的另一端分别与二极管D3的负极和二极管D4的正极连接，并作为所述基波放大限幅网络的输出端，所述二极管D3的正极和二极管D4的负极均接地；所述谐波滤波倍频网络包括电感L7；所述电感L7的一端作为所述谐波滤波倍频网络的输入端，并与接地电容C8连接，所述电感L7的另一端分别与接地电容C9和电感L8的一端连接，所述电感L8的另一端分别与接地电阻R9和电阻R8的一端连接，所述电阻R8的另一端分别与接地电阻R10和电容C10的一端连接，所述电容C10的另一端分别与接地电容C13、电感L9的一端和微带线ML1的一端连接；所述电感L9的另一端通过电阻R11分别与接地电容C11和电阻R12的一端连接，所述电阻R12的另一端分别与接地电容C12和栅极电源电压VG2连接；所述微带线ML1的另一端分别与悬空微带线ML2、悬空微带线ML3和微带线ML4的一端连接，所述微带线ML4的另一端与场效应管M3的栅极连接，所述场效应管M3的源极接地，所述场效应管M3的漏极与微带线ML5的一端连接，所述微带线ML5的另一端分别与悬空微带线ML6、微带线ML7的一端和微带线ML8的一端连接，所述微带线ML8的另一端通过电感L10与接地电容C14连接；所述微带线ML7的另一端分别与接地电容C15、微带线ML9的一端和电容C16的一端连接，所述微带线ML9的另一端分别与接地电容C17和微带线ML10的一端连接，所述微带线ML10的另一端分别与电阻R13的一端和漏极电源电压VD2连接，所述电阻R13的另一端与接地电容C18连接；所述电容C16的另一端分别与接地电阻R15和电阻R14的一端连接，所述电阻R14的另一端与接地电阻R16连接，并作为所述谐波滤波倍频网络的输出端；所述谐波放大网络包括电感L11；所述电感L11作为所述谐波放大网络的输入端，所述电感L11的另一端分别与接地微带线ML11、接地电容C19和电容C20的一端连接，所述电容C20的另一端分别与接地电感L12、接地电容C21和电容C22的一端连接，所述电容C22的另一端分别与接地电感L13、接地电容C23和电容C24的一端连接，所述电容C24的另一端分别与接地电感L14、接地电容C25和电容C26的一端连接，所述电容C26的另一端分别与微带线ML12的一端和微带线ML13的一端连接，所述微带线ML12的另一端分别与电阻R17的一端和电阻R18的一端连接，所述电阻R17的另一端与接地电容C27连接，所述电阻R18的另一端分别与电阻R19的一端和接地电R20连接，所述电阻R19的另一端与栅极电源电压VG3连接；所述微带线ML13的另一端与场效应管M4的栅极连接，所述场效应管M4的源极与接地微带线ML14连接，所述场效应管M4的漏极分别与微带线ML15的一端和电容C29的一端连接，所述电容C29的另一端分别与微带线ML16的一端和微带线ML17的一端连接，所述微带线ML17的另一端分别与电阻R21的一端和电阻R22的一端连接，所述电阻R21的另一端与接地电容C28连接，所述电阻R22的另一端分别与接地电阻R23和电阻R24的一端连接；所述微带线ML16的另一端与场效应管M5的栅极连接，所述场效应管M5的源极分别与接地电容C30和微带线ML15的另一端连接，所述场效应管M5的漏极与微带线M18的一端连接，所述微带线M18的另一端分别与微带线ML19的一端和电容C32的一端连接，所述微带线ML19的另一端分别与电阻R24的另一端、接地电容C31、电阻R25的一端和漏极电源电压VD3连接，所述电阻R25的另一端与接地电容C33连接；所述电容C32的另一端分别与微带线ML21的一端和微带线ML20的一端连接，所述微带线ML21的另一端分别与电阻R26的一端和电阻R27的一端连接，所述电阻R26的另一端与接地电容C34连接，所述电阻R27的另一端分别与电阻R28的一端和接地电阻R29连接，所述电阻R28的另一端与栅极电源电压VG3连接；所述微带线ML20的另一端与场效应管M6的栅极连接，所述场效应管M6的源极与接地微带线ML22连接，所述场效应管M6的漏极与微带线ML23的一端连接，所述微带线ML23的另一端分别与电容C35的一端和微带线ML24的一端连接，所述微带线ML24的另一端分别与接地电容C37、电阻R30的一端和漏极电源电压VD4连接，所述电阻R30的另一端与接地电容C36连接；所述电容C35的另一端分别与微带线ML26的一端和微带线ML25的一端连接，所述微带线ML25的另一端分别与电阻R34的一端和电阻R31的一端连接，所述电阻R34的另一端与接地电容C38连接，所述电阻R31的另一端分别与接地电阻R32和电阻R33的一端连接，所述电阻R33的另一端与栅极电源电压VG3连接；所述微带线ML26的另一端与场效应管M7的栅极连接，所述场效应管M7的源极与接地微带线ML27连接，场效应管M7的漏极与微带线ML28的一端连接，所述微带线ML28的另一端分别与电容C39的一端和微带线ML29的一端连接，所述微带线ML29的另一端分别与电阻R35的一端、接地电容C40和漏极电源电压VD5连接，所述电阻R35的另一端与接地电容C41连接，所述电容C39的另一端作为所述谐波放大网络的输出端。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种高谐波抑制倍频放大多功能芯片