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申请/专利权人：中山大学
申请日：2023-09-13
公开（公告）日：2023-12-29
公开（公告）号：CN117313631A
主分类号：G06F30/392
分类号：G06F30/392;G06F30/367;G06F119/04;G06F119/08
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.01.16#实质审查的生效;2023.12.29#公开
摘要：本发明公开了一种提升数字电路长期抗温度涨落能力的方法，包括：获取第一标准单元的第一零温度延时点；对所述第一标准单元进行老化仿真，得到所述第一标准单元的老化信息；根据所述第一零温度延时点以及所述老化信息，获取目标仿真网表；根据所述目标仿真网表，获取第二零温度延时点；根据所述第一零温度延时点以及所述第二零温度延时点，获得预设子集；根据筛选条件，对所述预设子集进行筛选，得到目标子集；将所述目标子集输入目标工具，进行重特征化处理，得到目标库；将所述目标库输入电路综合工具，得到目标电路。本发明实施例可以使电路具有在零温度延时点下的抗老化能力，增强电路的长期温度免疫能力，可广泛应用于数字电路技术领域。
主权项：1.一种提升数字电路长期抗温度涨落能力的方法，其特征在于，包括：获取第一标准单元的第一零温度延时点；对所述第一标准单元进行老化仿真，得到所述第一标准单元的老化信息；根据所述第一零温度延时点以及所述老化信息，获取目标仿真网表；根据所述目标仿真网表，获取第二零温度延时点；根据所述第一零温度延时点以及所述第二零温度延时点，获得预设子集；根据筛选条件，对所述预设子集进行筛选，得到目标子集；将所述目标子集输入目标工具，进行重特征化处理，得到目标库；将所述目标库输入电路综合工具，得到目标电路。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山大学 一种提升数字电路长期抗温度涨落能力的方法及装置
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