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申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日：2024-01-16
公开（公告）日：2024-02-20
公开（公告）号：CN117580368A
主分类号：H10K10/46
分类号：H10K10/46;H10K71/00;H10K71/12;H10K85/10;G06N3/063
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.03.08#实质审查的生效;2024.02.20#公开
摘要：本发明提供了一种电解质栅晶体管人工突触及其制备方法和应用，电解质栅晶体管人工突触，包括绝缘基底、源漏电极、侧栅电极和固态电解质薄膜；源漏电极和侧栅电极分别设置绝缘基底上表面不同位置；源漏电极具有沟道，聚合物半导体薄膜设置在沟道范围内的沟道上表面或者沟道下表面；侧栅电极直接与绝缘基底连接；固态电解质薄膜设置在源漏电极的沟道上表面且延伸至侧栅电极上表面；聚合物半导体薄膜的材料为聚2,5‑双噻吩并[3,2‑B]噻吩基聚合物，聚2,5‑双噻吩并[3,2‑B]噻吩基聚合物具有如式a所示的结构；a其中R1和R2各自独立为H、羟基、羧基、烃基、含有异原子烃基中的一种，n表示所示结构单元的重复个数，聚合物重均分子量大于50000。
主权项：1.一种电解质栅晶体管人工突触，其特征在于，包括具有沟道的源漏电极；其中，沟道区域位置设置有聚合物半导体薄膜，所述聚合物半导体薄膜的材料为聚2,5-双噻吩并[3,2-B]噻吩基聚合物，聚2,5-双噻吩并[3,2-B]噻吩基聚合物具有如式a所示的结构； （a）其中R1和R2各自独立为H、羟基、羧基、烃基、含有异原子烃基中的一种，n表示所示结构单元的重复个数，聚合物重均分子量大于50000。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 一种电解质栅晶体管人工突触及其制备方法和应用
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