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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：描述了具有沟槽接触飞越结构的集成电路结构以及制造具有沟槽接触飞越结构的集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括多个水平堆叠的纳米线。栅极电介质材料层围绕所述多个水平堆叠的纳米线。栅极电极结构位于所述栅极电介质材料层之上。外延源极或漏极结构位于所述多个水平堆叠的纳米线的端部。导电沟槽接触结构竖直位于外延源极或漏极结构之上，所述导电沟槽接触结构与所述外延源极或漏极结构电隔离。
主权项：1.一种集成电路结构，包括：多个水平堆叠的纳米线；栅极电介质材料层，围绕所述多个水平堆叠的纳米线；栅极电极结构，位于所述栅极电介质材料层之上；外延源极或漏极结构，位于所述多个水平堆叠的纳米线的端部；以及导电沟槽接触结构，竖直位于所述外延源极或漏极结构之上，所述导电沟槽接触结构与所述外延源极或漏极结构电隔离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 具有沟槽接触飞越（flyover）结构的集成电路结构
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