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申请/专利权人：卓芯杰(苏州)半导体材料科技有限公司
摘要：本发明公开了一种降冰片基类ArF光刻胶树脂单体及其制备方法与应用，所述ArF光刻胶树脂单体的制备方法包括以下步骤：1将纳迪克酸酐与1‑乙基环戊醇在缩合剂及溶剂的存在下反应，得到中间体1；2将中间体1与甲酸、双氧水在溶剂的存在下反应，得到中间体2；3将中间体2与甲基丙烯酰氯在缚酸剂、阻聚剂及溶剂的存在下，进行酯化反应，得到所述降冰片基类ArF光刻胶树脂单体。由上述方法制备得到的降冰片基类化合物可作为ArF光刻胶树脂单体用于制备ArF光刻胶，制备得到的ArF光刻胶具有优异的抗腐蚀性能，有利于提高半导体芯片制备的良率。
主权项：1.一种降冰片基类ArF光刻胶树脂单体，其特征在于，具有如下结构：
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