申请/专利权人：湖北大学;广州华瑞升阳投资有限公司

申请日：2022-10-21

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917781A

主分类号：H01L31/036

分类号：H01L31/036;H01L31/0264

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：本发明提供了一种晶体层叠结构体，包括：第一半导体层，包括四方金红石结构的n型SnO2系单晶，将其{101}晶面族中任一晶面、或者相对于{101}晶面族中任一晶面6°以内的角度范围倾斜的面作为主面，所述n型SnO2系单晶包含第一供体浓度；第二半导体层，形成于所述第一半导体层的所述主面上，所述第二半导体层包括n型SnO2，所述第二半导体层包含比所述第一供体浓度低的第二供体浓度。本分发明能够实现在SnO2半导体层上与金属实现高品质的接触。

主权项：1.一种晶体层叠结构体，其特征在于，包括：第一半导体层，包括四方金红石结构的n型SnO2系单晶，将其{101}晶面族中任一晶面、或者相对于{101}晶面族中任一晶面6°以内的角度范围倾斜的面作为主面，所述n型SnO2系单晶包含第一供体浓度；第二半导体层，形成于所述第一半导体层的所述主面上，所述第二半导体层包括n型SnO2，所述第二半导体层包含比所述第一供体浓度低的第二供体浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北大学;广州华瑞升阳投资有限公司 一种晶体层叠结构体及半导体元件

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