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申请/专利权人：深圳市森瑟科技发展有限公司
申请日：2023-09-25
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN220893248U
主分类号：G01B7/02
分类号：G01B7/02
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.03#授权
摘要：本实用新型公开了一种可调节笔式回弹LVDT位移传感器结构，包括线圈骨架，线圈骨架上中间缠绕有初级线圈，线圈骨架在初级线圈的两端设置有次级线圈，线圈骨架的外侧套设有屏蔽套，屏蔽套侧壁设置有漏磁调节缝隙，漏磁调节缝隙平行于线圈骨架方向，调节漏磁调节缝隙的宽度用于调节漏磁量。本实用新型把屏蔽套装到绕好的线圈的线圈骨架上，调节屏蔽套的漏磁调节缝隙宽度以调节磁感线的磁回路。当实际灵敏度比典型灵敏度高，增大漏磁调节缝隙宽度，使磁回路变大，降低传感器的灵敏度。当实际灵敏度比典型灵敏度低，减小漏磁调节缝隙宽度，使磁回路减小，增加传感器的灵敏度，从而使得传感器灵敏度一致，便于用户使用。
主权项：1.一种可调节笔式回弹LVDT位移传感器结构，包括线圈骨架，所述线圈骨架上中间缠绕有初级线圈，所述线圈骨架在所述初级线圈的两端设置有次级线圈，其特征在于，所述线圈骨架的外侧套设有屏蔽套，所述屏蔽套侧壁设置有漏磁调节缝隙，所述漏磁调节缝隙平行于所述线圈骨架方向，调节所述漏磁调节缝隙的宽度用于调节漏磁量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市森瑟科技发展有限公司 一种可调节笔式回弹LVDT位移传感器结构
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