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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供一种NOR闪存器件的制造方法，包括：步骤1提供一半导体结构，具有第一栅极结构及位于第一栅极结构两侧的第一有源区，第二栅极结构及位于第二栅极结构两侧的第二有源区；步骤2于半导体结构的表面形成ONO结构；步骤3刻蚀ONO结构形成第一侧墙；步骤4对第一有源区进行离子注入；步骤5对通过步骤4形成的结构表面形成牺牲层；步骤6于第一侧墙的外侧形成第二侧墙；步骤7对通过步骤6所形成的结构进行第一次湿法清洗；步骤8对第二有源区进行离子注入；步骤9对通过步骤8所形成的结构进行第二次湿法清洗。通过本发明解决了现有的存储器件区的有源区易受损伤且外围器件区的侧墙底部易发生侧掏的问题。
主权项：1.一种NOR闪存器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1提供一半导体结构，其分为存储单元区及外围器件区，且所述半导体结构在所述存储单元区形成有第一栅极结构及位于所述第一栅极结构两侧的第一有源区，在所述外围器件区形成有第二栅极结构及位于所述第二栅极结构两侧的第二有源区；步骤2于所述半导体结构的表面形成ONO结构，所述ONO结构包括第一氧化层、氮化层及第二氧化层；步骤3刻蚀所述ONO结构以于所述第一栅极结构及所述第二栅极结构的两侧形成第一侧墙，此时，所述第一有源区及所述第二有源区至少保留所述第一氧化层；步骤4对所述第一有源区进行离子注入以形成源区及漏区；步骤5对通过步骤4形成的结构表面形成牺牲层；步骤6按照预设时间刻蚀所述牺牲层于所述第一侧墙的外侧形成第二侧墙，此时，所述第一有源区的表面留有部分厚度的所述牺牲层；步骤7对通过步骤6所形成的结构进行第一次湿法清洗，完全去除留在所述第一有源区的所述牺牲层；步骤8对所述第二有源区进行离子注入以形成所述源区及所述漏区；步骤9对通过步骤8所形成的结构进行第二次湿法清洗以将所述第二侧墙完全去除。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 NOR闪存器件的制造方法
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