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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日：2024-02-27
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053897A
主分类号：H01L29/737
分类号：H01L29/737;H01L29/10;H01L21/331;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种低基区连接电阻的高速锗硅HBT结构及其制造方法，结构包括：衬底；隔离区域，通过刻蚀并回填衬底形成；第一介电层，设置于衬底上靠近隔离区域的一侧；第二介电层，设置于第一介电层上背离衬底的一侧；外基区，设置于第二介电层上背离第一介电层的一侧；第一侧墙，通过刻蚀外基区并淀积介电材料形成；内基区，通过刻蚀第一介电层、第二介电层并外延硅锗形成，内基区与外基区接触。本发明中，刻蚀第一介电层、第二介电层并外延硅锗形成内基区，突破内外基区连接区较窄、电阻和电容优化存在较大瓶颈的问题；外基区与内基区连接形成自对准结构，降低基区连接电阻，提高器件的最高振荡频率。
主权项：1.一种低基区连接电阻的高速锗硅HBT结构，其特征在于，所述高速锗硅HBT结构包括：衬底；隔离区域，通过刻蚀并回填所述衬底形成；第一介电层，设置于所述衬底上靠近所述隔离区域的一侧；第二介电层，设置于所述第一介电层上背离所述衬底的一侧；外基区，设置于所述第二介电层上背离所述第一介电层的一侧；第一侧墙，通过刻蚀所述外基区并淀积介电材料形成；内基区，通过刻蚀所述第一介电层、第二介电层并外延硅锗形成，所述内基区与所述外基区接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种低基区连接电阻的高速锗硅HBT结构及其制造方法
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