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申请/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日：2022-12-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263092A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;H01L21/67
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种锗暴露时的图形晶片湿法清洗方法，包括：向旋转中的图形晶片表面上喷洒具有第一稀释比的第一清洗液进行第一清洗，以选择性去除刻蚀后残留物；继续喷洒第二清洗液进行第二清洗，以去除第一清洗后的残留药液；继续喷洒具有第二稀释比的第三清洗液进行第三清洗，以选择性去除污染物；继续喷射经雾化的具有第三稀释比的第四清洗液进行第四清洗，以提高对污染物的选择性去除效率；继续喷洒第五清洗液进行第五清洗，以去除第四清洗后的残留药液；进行干燥。本发明能避免对锗及其它介质材料造成明显腐蚀，并能有效去除颗粒等污染物，进一步提高了清洗效率。
主权项：1.一种锗暴露时的图形晶片湿法清洗方法，其特征在于，包括：执行图形晶片旋转；向所述图形晶片的表面上喷洒具有第一温度、第一流量和第一稀释比的第一清洗液进行第一清洗，以选择性去除刻蚀后残留物；停止喷洒所述第一清洗液，继续喷洒具有第二温度和第二流量的第二清洗液进行第二清洗，以去除所述第一清洗后的残留药液；停止喷洒所述第二清洗液，继续喷洒具有第三温度、第三流量和第二稀释比的第三清洗液进行第三清洗，以选择性去除污染物；停止喷洒所述第三清洗液，继续喷射经雾化的具有第四温度、第四流量和第三稀释比的第四清洗液进行第四清洗，以提高对所述污染物的选择性去除效率；停止喷洒所述第四清洗液，继续喷洒具有第五温度和第五流量的第五清洗液进行第五清洗，以去除所述第四清洗后的残留药液；其中，所述第三温度和所述第四温度大于所述第一温度、所述第二温度和所述第五温度；和或，所述第四流量小于所述第一流量至所述第三流量、所述第五流量；和或，所述第一稀释比大于所述第二稀释比和所述第三稀释比。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海集成电路研发中心有限公司 一种锗暴露时的图形晶片湿法清洗方法
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