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申请/专利权人：江西磐盟半导体科技有限公司
申请日：2024-04-08
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263165A
主分类号：H01L21/67
分类号：H01L21/67;H01L21/687
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明涉及硅单晶片加工领域，尤其涉及硅单晶片的二氧化硅薄膜的剥离装置。现有的剥离装置不方便使得装置与硅单晶片接触的地方充分与氢氟酸接触，且硅单晶上表面剥离后的附着物容易粘附在硅单晶片表面，放入硅单晶片时硅单晶片下表面容易堆积气泡。本发明提供了硅单晶片的二氧化硅薄膜的剥离装置，包括有料池等；所述料池上部两侧都固定连接有一个滑轨，两个所述滑轨上都滑动式连接有一个电动滑块，两个所述电动滑块相互靠近的一侧上都设置有夹持机构，所述夹持机构用于对硅单晶片进行夹持限位。电动滑块沿着滑轨由滑轨的一端向另一端水平移动，会带动硅单晶片浸入氢氟酸溶液，并使硅单晶片转动，让附着物掉落。
主权项：1.硅单晶片的二氧化硅薄膜的剥离装置，其特征是：包括有料池1，所述料池1上部两侧都固定连接有一个滑轨2，两个所述滑轨2呈对称设置，两个所述滑轨2上都滑动式连接有一个电动滑块3，两个所述电动滑块3相互靠近的一侧上都设置有夹持机构，所述夹持机构用于对硅单晶片进行夹持限位，所述夹持机构上设置有浸入机构，所述浸入机构用于将夹持限位好的硅单晶片浸入所述料池1内的氢氟酸溶液中，所述浸入机构还与所述料池1内壁连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西磐盟半导体科技有限公司 硅单晶片的二氧化硅薄膜的剥离装置
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