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申请/专利权人：山东大学
申请日：2024-04-01
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118257000A
主分类号：C30B29/36
分类号：C30B29/36;C30B35/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及调控碳化硅单晶生长面形的限流板、生长装置和生长方法。所述限流板适用于顶部设置碳化硅籽晶且内部含有碳化硅粉料的石墨坩埚，所述限流板放置在碳化硅粉料的表面或上方，所述限流板为中空的环形结构或由外部环形结构和孔隙率为外部环形结构1.3～1.5倍的圆形结构组成的片状结构，所述环形结构的内径为碳化硅籽晶直径的0.7～1.3倍，所述环形结构的外径等于所述石墨坩埚的内径，所述圆形结构的直径为碳化硅籽晶直径的1～1.5倍。本发明通过设置具有特殊内径结构的限流板实现对生长气相组分传输区域限制，从而实现对生长气相组分的集中，在不改变坩埚内温场分布的情况下调控晶体的生长面形，控制晶体凸度。
主权项：1.一种调控碳化硅单晶生长面形的限流板，其特征在于，所述限流板适用于顶部设置碳化硅籽晶且内部含有碳化硅粉料的石墨坩埚，所述限流板放置在碳化硅粉料的表面或上方，所述限流板为中空的环形结构或由外部环形结构和孔隙率为外部环形结构1.3～1.5倍的圆形结构组成的片状结构，所述环形结构的内径为碳化硅籽晶直径的0.7～1.3倍，所述环形结构的外径等于所述石墨坩埚的内径，所述圆形结构的直径为碳化硅籽晶直径的1～1.5倍。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 调控碳化硅单晶生长面形的限流板、生长装置和生长方法
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