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申请/专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社
申请日：2023-12-15
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263285A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/78
优先权：["20221226 JP 2022-208927"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种碳化硅晶片以及使用了该碳化硅晶片的碳化硅半导体装置。碳化硅晶片具备由SiC构成的基板10、以及由SiC构成并配置于基板上的外延层20，并具有形成半导体元件的芯片形成区域、以及包围芯片形成区域的外周区域。外延层在芯片形成区域中通过DLTS法导出的0.10～0.20eV的活化能中的陷阱密度设为1.0×1013cm‑3以下，基板通过SIMS法测定的Ti密度以及Cr密度分别设为1.0×1017cm‑3以下。
主权项：1.一种碳化硅晶片，由碳化硅构成，其特征在于，具备：基板，由碳化硅构成；以及外延层，由碳化硅构成，被配置于所述基板上，所述碳化硅晶片具有形成半导体元件的芯片形成区域、以及包围所述芯片形成区域的外周区域，所述外延层在所述芯片形成区域中通过DLTS法导出的0.10～0.20eV的活化能中的陷阱密度被设为1.0×1013cm-3以下，所述基板通过SIMS法测定的Ti密度以及Cr密度分别被设为1.0×1017cm-3以下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社 碳化硅晶片以及使用了该碳化硅晶片的碳化硅半导体装置
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