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申请/专利权人：美光科技公司
申请日：2019-09-05
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN113589663B
主分类号：G03F9/00
分类号：G03F9/00
优先权：["20180905 US 16/122,106"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.11.19#实质审查的生效;2021.11.02#公开
摘要：本申请案涉及晶片配准及重叠测量系统以及有关方法。一种方法包含向晶片施加磁场，检测从所述晶片内的第一组配准标记中的至少一个配准标记发射的至少一个残余磁场，响应于所述所检测到的残余磁场，确定所述第一组配准标记中的所述至少一个配准标记的位置，确定第二组配准标记中的至少一个配准标记的位置，及响应于所述第一组配准标记中的所述至少一个配准标记及所述第二组配准标记中的所述至少一个配准标记的所述相应确定位置，计算所述晶片的所关注层级与所述晶片的参考层级之间的位置偏移。还揭示有关方法及系统。
主权项：1.一种方法，其包括：向晶片施加磁场；检测来自所述晶片内的至少一个配准标记的响应；响应于所检测到的响应，确定所述至少一个配准标记的位置；以及至少部分地基于所述至少一个配准标记的已确定位置，计算所述晶片的两个或更多个层级之间的位置偏移。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 晶片配准及重叠测量系统以及有关方法
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