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申请/专利权人：扬州大学
申请日：2024-02-19
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118048150A
主分类号：C09K11/65
分类号：C09K11/65;H01L23/544;C01B32/15;B82Y20/00;B82Y40/00;G09F3/02
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明公开了一种透明无痕迹长余辉碳点图案制备方法及其应用，制备时首先制备作为碳点前驱体的透明薄膜；然后采用跳跃式激光直写方法在透明薄膜上直写预设的碳点长余辉图案，碳点长余辉图案在日光灯下无痕迹且透明；其中，跳跃式激光直写方法是扫描完图案的当前一个点后，扫描与该点不相邻的下一个点。通过跳跃式激光直写方法有效性降低热影响区，避免基体受热不均匀，从而制备透明无痕迹且具有较高分辨率的碳点长余辉图案。通过调节激光参数和碳点前驱体种类，可以获得全色域、多模态发射的碳点图案。本发明制备的余辉碳点图案可应用于柔性光电器件的原位制造，包括防伪汽车薄膜、高分辨率代码和柔性显示器。
主权项：1.一种透明无痕迹长余辉碳点图案制备方法，其特征在于，包括：首先，制备作为碳点前驱体的透明薄膜；然后，采用跳跃式激光直写方法在所述透明薄膜上直写预设的碳点长余辉图案，所述碳点长余辉图案在日光灯下无痕迹且透明；其中，所述跳跃式激光直写方法是扫描完图案的当前一个点后，扫描与该点不相邻的下一个点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 扬州大学 一种透明无痕迹长余辉碳点图案制备方法及其应用
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