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申请/专利权人：联华电子股份有限公司
申请日：2023-01-18
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263247A
主分类号：H01L27/085
分类号：H01L27/085;H01L27/02;H01L21/8232;H01L29/778
优先权：["20221228 TW 111150259"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供一种半导体单元的布局图案及其形成方法，其中该半导体单元的布局图案包含一基底，基底上有一第一L形主动区以及一第二L形主动区，其中第一L形主动区的形状与第二L形主动区的形状互为180度翻转，一第一高电子迁移率晶体管highelectronmobilitytransistor，HEMT以及一第二高电子迁移率晶体管位于第一L形主动区上，以及一第三高电子迁移率晶体管以及一第四高电子迁移率晶体管位于第二L形主动区上。
主权项：1.一种半导体单元的布局图案，包含:基底，基底上有第一L形主动区以及第二L形主动区，其中该第一L形主动区的形状与该第二L形主动区的形状互为180度翻转；第一高电子迁移率晶体管highelectronmobilitytransistor，HEMT以及第二高电子迁移率晶体管位于该第一L形主动区上；以及第三高电子迁移率晶体管以及第四高电子迁移率晶体管位于该第二L形主动区上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联华电子股份有限公司 半导体单元的布局图案及其形成方法
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皖公网安备 34010402703815号