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申请/专利权人：铠侠股份有限公司
申请日：2019-08-12
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN111755599B
主分类号：H10N50/01
分类号：H10N50/01;H10N50/10;H10B61/00
优先权：["20190328 JP 2019-064287"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2022.01.28#著录事项变更;2020.10.30#实质审查的生效;2020.10.09#公开
摘要：实施方式提供一种更高性能的存储装置和存储装置的制造方法。实施方式涉及的存储装置的制造方法包括在基底之上隔开间隔形成第1层叠体以及第2层叠体。形成具有第1层叠体的侧面上的第1部分、第2层叠体的侧面上的第2部分、以及第1层叠体与第2层叠体之间的基底之上的第3部分的第1绝缘体。利用离子束，一边使第1绝缘体的第3部分残留，一边使第1绝缘体的第1部分的一部分和第2部分的一部分变薄。在第1绝缘体的第1部分与第1绝缘体的第2部分之间形成第2绝缘体。
主权项：1.一种存储装置的制造方法，包括：在基底之上隔开间隔形成第1层叠体和第2层叠体；形成第1绝缘体，所述第1绝缘体具有所述第1层叠体的侧面上的第1部分、所述第2层叠体的侧面上的第2部分、以及所述第1层叠体与所述第2层叠体之间的所述基底之上的第3部分；利用离子束，一边使所述第1绝缘体的所述第3部分残留，一边以使得成为朝向所述第1层叠体的上部逐渐变薄的锥状的方式使所述第1绝缘体的所述第1部分的一部分变薄、并且以使得成为朝向所述第2层叠体的上部逐渐变薄的锥状的方式使所述第1绝缘体的所述第2部分的一部分变薄；以及在所述第1绝缘体的所述第1部分与所述第1绝缘体的所述第2部分之间形成具有与所述第1绝缘体相同的组成的第2绝缘体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 铠侠股份有限公司 存储装置以及存储装置的制造方法
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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